baru saja memaparkan peta jalan ambisius untuk produk DRAM, HBM, dan NAND. Inovasi utama mencakup memori dengan bandwidth dua kali lipat dari DDR5, serta LPDDR6 yang menawarkan efisiensi daya 35% lebih baik melalui node DRAM 1-Delta.
Teknologi 1-Delta ini memberikan peningkatan densitas bit hingga 20-an persen dibanding generasi 1y. Micron juga mengembangkan NAND G11 dengan lebih dari 400 lapisan yang dijadwalkan rilis pada 2027, serta solusi vHBM yang menumpuk memori pada die komputasi.
Langkah ini krusial karena Micron menargetkan bandwidth 2 TB/s per modul melalui vEIM dan bekerja sama dengan untuk pusat data masa depan. Investasi pada 3D DRAM dan High-NA EUV memastikan efisiensi data yang 400 kali lebih padat dibanding tahun 1995.