resmi menghentikan pengembangan arsitektur DRAM 4F² setelah dua dekade riset mendalam. Scott DeBoer, petinggi Micron, menyatakan bahwa teknologi ini tidak memberikan keunggulan densitas yang berarti dibandingkan desain 6F² yang saat ini digunakan.
Meskipun sel 4F² secara teori 33% lebih kecil, Micron menilai kompleksitas manufaktur dan biaya produksinya terlalu tinggi. Sebaliknya, Micron fokus pada teknologi 1δ yang dijadwalkan produksi massal tahun 2027 dengan peningkatan densitas bit hingga 20%.
Keputusan ini kontras dengan dan yang masih mempertahankan 4F² dalam roadmap mereka. Untuk jangka panjang, Micron memilih transisi ke 3D DRAM dengan penumpukan sel secara vertikal dan penggunaan High-NA EUV guna menjaga efisiensi memori.