Kioxia bersama Sandisk resmi mengungkap detail BiCS9 QLC NAND terbaru dengan kapasitas 2 Tbit per chip. Teknologi 3D-NAND 230 layer ini menggunakan arsitektur 6-plane dan teknik CMOS Bonded to Array (CBA) untuk mengoptimalkan performa penyimpanan konsumen.
Chip BiCS9 ini hadir dalam versi TLC 1 Tbit dan QLC 2 Tbit yang menyimpan 4 bit per sel. Menariknya, BiCS9 menggabungkan sel memori generasi BiCS8 dengan area I/O mirip BiCS10, menghasilkan kecepatan antarmuka 4,8 Gbit/s atau 33 persen lebih cepat dari BiCS8.
Langkah ini krusial karena Kioxia juga menyiapkan BiCS10 dengan 332 layer untuk segmen server. Dengan dimulainya tahap sampling pada Juli 2026, inovasi ini menjanjikan kepadatan data lebih tinggi dan transfer data yang jauh lebih efisien bagi pengguna gadget.