Samsung dan TSMC Berkolaborasi Garap Memori NVHBM

Samsung resmi bermitra dengan TSMC untuk memproduksi base die 3nm guna mendukung GPU Feyman NVIDIA dengan efisiensi daya yang lebih baik.

tengah mengembangkan memori kustom NVHBM yang melibatkan kolaborasi besar antara dan . Samsung kini resmi bekerja sama dengan TSMC untuk memproduksi base die pada node 3nm guna mendukung GPU Feyman terbaru milik NVIDIA di masa depan nanti.

Langkah ini menandai perubahan strategi Samsung yang biasanya menggunakan pendekatan mandiri. Kini, Samsung bersama Micron dan SK hynix diminta NVIDIA menggunakan proses 3nm TSMC demi performa konsisten, meski Samsung tetap menyiapkan pabriknya sebagai cadangan.

Inovasi NVHBM ini diklaim mampu memberikan bandwidth memori 30 persen lebih tinggi dan konsumsi daya 15 persen lebih rendah dibanding standar HBM4E. Teknologi ini sangat krusial bagi NVIDIA untuk mempertahankan keunggulan performa di tengah kerugian divisi foundry.


Berita terkait

Raksasa Tiongkok Borong 3 Juta GPU Nvidia RTX Pro

Tool Baru Modifikasi VBIOS RTX 50-Series Dirilis

Nvidia Bantah Rumor Hentikan Produksi RTX 5090

AMD Naikkan Harga Memori GDDR6 untuk Mitra AIB

Nvidia Hentikan Pasokan GPU GB202 untuk RTX 5090