resmi menghapus sel memori 4F2 dari peta jalan teknologinya dan beralih ke inovasi baru. Scott DeBoer mengonfirmasi penggunaan wafer bonding pada proses 1ε DRAM mendatang, serta adopsi High-NA EUV lithography untuk generasi setelah proses tersebut.
Proses 1δ DRAM dijadwalkan masuk produksi massal pada paruh kedua 2027 dengan peningkatan densitas bit hingga 20 persen. Teknologi ini dioptimalkan untuk produk , vHBM, dan vEIM, sementara node ζÅ akan menjadi memori sub-10nm pertama dari Micron.
Inovasi vHBM dan vEIM akan mengintegrasikan memori langsung di atas prosesor AI menggunakan hybrid bonding. Dengan target bandwidth 2 TB/s dan efisiensi energi tinggi, teknologi ini dilengkapi struktur penyebar panas khusus untuk performa maksimal pada GPU AI.