TSMC resmi mengumumkan rencana penggunaan teknologi High-NA EUV lithography mulai tahun 2030. Raksasa chip ini akan memakai pemindai seharga 400 juta dolar AS dengan photomask standar 6x6 inci untuk produksi massal awal guna mengejar efisiensi manufaktur.
Teknologi High-NA EUV mampu mencapai resolusi paparan tunggal 8nm, jauh lebih tajam dibanding sistem Low-NA yang hanya 13nm. Namun, TSMC memastikan node A12 dan A13 pada 2029 tetap memakai EUV konvensional, di mana A13 merupakan penyusutan optik dari A14.
Untuk masa depan, TSMC bekerja sama dengan ASML mengembangkan photomask 6x12 inci yang didukung Intel dan Samsung. Lini pilot baru akan dimulai 2031, sebelum sistem canggih ini masuk ke produksi node tingkat lanjut secara penuh pada tahun 2033 mendatang.