# Samsung Lolos Uji HBM4E 12-Layer untuk NVIDIA 8 Oktober 2026 pukul 09.09 > Samsung sukses tuntaskan uji kualifikasi memori HBM4E 12-layer untuk mendukung platform Vera Rubin NVIDIA dengan performa naik 20%. [Samsung Electronics]() dilaporkan telah berhasil melewati uji kualifikasi untuk memori **HBM4E** 12-layer terbaru mereka di [NVIDIA]() dan beberapa perusahaan hyperscaler besar lainnya. Laporan dari Hankyung menyebutkan proses pengujian ini tuntas pada akhir September. Chip HBM4E 12-layer ini menawarkan kapasitas 48 GB per stack dengan kecepatan 14 Gbps per pin yang bisa ditingkatkan hingga 16 Gbps. Teknologi ini menggabungkan DRAM 1c kelas 10nm generasi keenam dengan logic base die 4nm yang diproduksi Samsung Foundry. Pencapaian ini sangat krusial karena HBM4E memberikan peningkatan performa lebih dari 20% dibandingkan generasi HBM4. Memori canggih dengan bandwidth hingga 3,6 TB/s ini dirancang khusus untuk mendukung platform **Vera Rubin** milik NVIDIA di masa depan nanti. [#Samsung]() [#NVIDIA]() #HBM4E #VeraRubin [#TeknologiMemori]() ## Berita terkait ## [Nvidia Rilis RTX Spark: AI Lokal dan Game AAA]() 8 Oktober 2026 pukul 20.08 ## [SpaceX Cari Dana $40 Miliar untuk Chip AI NVIDIA]() 8 Oktober 2026 pukul 19.31 ## [NVIDIA Rilis DGX Station 2026 Berbasis Blackwell]() 8 Oktober 2026 pukul 15.01 ## [Anthropic Gandeng Samsung Produksi Chip AI 2nm]() 8 Oktober 2026 pukul 13.50 ## [Samsung Lipat Gandakan Produksi HBM4 untuk NVIDIA]() 22 September 2026 pukul 09.46