Samsung Electronics dilaporkan telah berhasil melewati uji kualifikasi untuk memori HBM4E 12-layer terbaru mereka di NVIDIA dan beberapa perusahaan hyperscaler besar lainnya. Laporan dari Hankyung menyebutkan proses pengujian ini tuntas pada akhir September.
Chip HBM4E 12-layer ini menawarkan kapasitas 48 GB per stack dengan kecepatan 14 Gbps per pin yang bisa ditingkatkan hingga 16 Gbps. Teknologi ini menggabungkan DRAM 1c kelas 10nm generasi keenam dengan logic base die 4nm yang diproduksi Samsung Foundry.
Pencapaian ini sangat krusial karena HBM4E memberikan peningkatan performa lebih dari 20% dibandingkan generasi HBM4. Memori canggih dengan bandwidth hingga 3,6 TB/s ini dirancang khusus untuk mendukung platform Vera Rubin milik NVIDIA di masa depan nanti.