resmi mengembangkan tiga jenis penyimpanan NAND baru khusus aplikasi AI. Salah satu yang telah diumumkan adalah varian zNAND-O, yang dirancang untuk mendukung aplikasi AI lokal dengan performa yang jauh lebih optimal dan efisien.
Chip zNAND-O ini menggunakan tumpukan empat atau delapan lapisan yang terhubung melalui koneksi through-silicon via. Selain itu, Samsung menyiapkan varian High Bandwidth Flash untuk pusat data serta satu varian lagi yang fokus pada kecepatan operasi IOPS.
Langkah strategis ini muncul di tengah persaingan ketat dengan yang juga mengejar teknologi serupa. Laporan menyebut inovasi ini sangat krusial untuk menangani tugas inferensi AI yang membutuhkan kecepatan transfer data tinggi.